JVNDB-2020-002806
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DRAMチップにおける入力確認に関する脆弱性
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DRAMチップ (DDR4 および LPDDR4）には、入力確認に関する脆弱性が存在します。
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CVSS v3 による深刻度
基本値: 9.0 (緊急) [NVD値]
- 攻撃元区分: ネットワーク
- 攻撃条件の複雑さ: 高
- 攻撃に必要な特権レベル: 不要
- 利用者の関与: 不要
- 影響の想定範囲: 変更あり
- 機密性への影響(C): 高
- 完全性への影響(I): 高
- 可用性への影響(A): 高
CVSS v2 による深刻度
基本値: 9.3 (危険) [NVD値]
- 攻撃元区分: ネットワーク
- 攻撃条件の複雑さ: 中
- 攻撃前の認証要否: 不要
- 機密性への影響(C): 全面的
- 完全性への影響(I): 全面的
- 可用性への影響(A): 全面的
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Micron Technology, Inc.
- Micron DDR4 SDRAM
- Micron LPDDR4
SK HYNIX INC.
- skhynix DDR4 SDRAM
- skhynix LPDDR4
サムスン
- Samsung DDR4
- Samsung LPDDR4
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情報を取得される、情報を改ざんされる、およびサービス運用妨害 (DoS) 状態にされる可能性があります。
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ベンダ情報および参考情報を参照して適切な対策を実施してください。
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Micron Technology, Inc.
SK HYNIX INC.
サムスン
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- 不適切な入力確認(CWE-20) [NVD評価]
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- CVE-2020-10255
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- National Vulnerability Database (NVD) : CVE-2020-10255
- 関連文書 : TRRespass
- 関連文書 : TRRespass: Exploiting the Many Sides ofTarget Row Refresh
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